光催化氧化設備技術原理

光催化氧化設備處理廢氣效果好，用途廣，采用科學的技術原理來進行處理，具體處理公式和內容看詳情介紹。

光催化氧化設備技術原理：

當能量高于半導體禁帶寬度的光子照射半導體時，半導體的價帶電子發生帶間躍遷，從價帶躍遷到導帶，從而產生帶正電荷的光致空穴和帶負電荷的光生電子。光致空穴的強氧化能力和光生電子的還原能力導致半導體光催化劑引發一系列光催化反應的發生。

半導體光催化氧化的羥基自由基反應機理，得到大多數學者的認同。即當Ti02等半導體粒子與水接觸時，半導體表面產生高密度的羥基。由于羥基的氧化電位在半導體的價帶位置以上，而且又是表面高密度的物種，因此光照射半導體表面產生的空穴先被表面羥基捕獲，產生強氧化性的羥基自由基:

Ti02—hv—e-+Ti02(h+)

Ti02(h+)+H20——Ti02+H++·OHTi02(h+)+OH-——Ti02+·OH

當有氧分子存在時，吸附在催化劑表面的氧捕獲光生電子，也可以產生羥基自由基:02+nTi02(e-)——nTi02+·02-

02+Ti02(e-)+2H20——Ti02+H202+20H-H202+Ti02(e-)一Ti02+OH-+·OH

光生電子具有很強的還原能力，可以還原金屬離子:Mn++nTi02(e-)——MO+nTi02 [1]

光催化原理

是基于光催化劑在紫外線照射下具有的氧化還原能力而凈化污染物。光催化技術作為一種環境友好型環境凈化技術，對室內空氣質量的改善已得到行業學術界的認可。

我公司提供的光催化氧化設備采用科學氧化技術，破單一體系的反應局限，在整個反應體系中，有兩種氧化能力強的氧化劑—O3和·OH參與反應，使得脫臭效果好，惡臭氣體礦化程度高，可無害化排放，無二次污染。真正的源頭廠家。公司網址：www.shouheikai.com